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托IBM的福AMD3年后可实现超强32n

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来源: 作者: 2019-04-05 23:31:28

我们知道Intel的45nm处理器上运用了基于铪元素的高电介质金属栅极技术,据称可将栅极漏电降低到原有水平的十分之一,同时降低30%的功耗、提升30%的性能,现在AMD阵营也有类似的技术了。

固然不是AMD自己,而是它的合作伙伴IBM。IBM今天宣布,他们的“高电介质先加工栅极”(High-K Gate-First)的新工艺材料已经研发成功,将运用在32nm制程技术的芯片上,2009年下半年投入实用,包括AMD、特许半导体、飞思卡尔、英飞凌、3星等合作伙伴都将受益。

新工艺可以确保更简单、更省时的转向高电介质金属栅极技术,从而提高性能、下降功耗。目前实验室中IBM已确认他们的新工艺可以让芯片的功耗下降45%,同时运行电压更低,相当于现有芯片的速度可借此提升30%。

IBM还展现了使用CMOS工艺成功生产的首个新型SRAM芯片,单元尺寸0.15平方微米。更进一步地,IBM表示他们SOI工艺部署也已基本完成,为批量生产多核心处理器铺平了道路。

另一方面,由于实际的32nm产品还要等待2010年,所以AMD正在研究是不是在45nm产品中导入高电介质金属栅极方案。

PS:特许半导体是Xbox360处理器的代工商,所以Xbox系列将在2010年推出32nm处理器版本。

视频展示。

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